TI 的 NexFET? MOSFET 可提供各种 N 沟道和 P 沟道电源模块以及分立式电源解决方案。我们高度集成的 MOSFET 支持更高的效率、更长的电池寿命、更高的功率密度和更高的频率,可实现快速开关。这些优势可在外形小巧的封装中提供设计灵活性,并使设计工程师能够缩短产品上市时间。
按类别浏览
FemtoFET? N 沟道和 P 沟道 MOSFET
N 沟道和 P 沟道 MOSFET
FemtoFET? N 沟道和 P 沟道 MOSFET 是当今市场上可提供的超小型低导通电阻功率 MOSFET。FemtoFET MOSFET 采用基板栅格阵列 (LGA) 封装,这是一种带有金属接触板(而非焊球)的器件芯片级封装。这些 FemtoFET MOSFET 非常适合手机、平板电脑以及任何需要节省布板空间和延长电池寿命的其他应用。
实现FemtoFET? MOSFET的特色产品
技术资源
视频系列
MOSFET 101
该系列提供了选择 MOSFET 并将其用于设计的基本提示和技巧。
技术文章
了解 MOSFET 数据表,第 1 部分 - UIS/雪崩额定值
了解如何解读 MOSFET 数据表上的 UIS/雪崩额定值。
技术文章
功率 MOSFET 数据表第 1 部分中没有的内容:温度相关性
了解 MOSFET 数据表包含的内容及其不包含的内容(更重要)。
设计和开发资源
Calculation tool
MOSFET power loss calculator for motor drive applications
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。