氮化镓 (GaN) IC

利用我们各种功率级别的 GaN 功率器件产品系列更大限度地提高功率密度和效率

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我们的氮化镓 (GaN) FET 系列具有集成的栅极驱动器和 GaN 功率器件,可提供具有寿命可靠性和成本优势的高效 GaN 解决方案。GaN 晶体管的开关速度比硅 MOSFET 快得多,因此可以实现更低的开关损耗。我们的 GaN IC 可用于广泛的应用,包括电信、服务器、电机驱动器和笔记本电脑适配器以及电动汽车的车载充电器。

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新产品

具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50m? GaN FET

价格约为 (USD) 1ku | 7.94
新产品

具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50m? GaN FET

价格约为 (USD) 1ku | 10.476
新产品

具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30m? GaN FET

价格约为 (USD) 1ku | 11.844
新产品

具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30m? GaN FET

价格约为 (USD) 1ku | 10.764

TI GaN 技术优势

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开关速度比分立式 GaN FET 更快

我们具有集成驱动器的 GaN FET 可实现 150V/ns 的开关速度。这些开关速度与低电感封装相结合,可降低损耗、提供干净的开关功能并更大限度地减少振铃。

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磁性元件更小、功率密度更高

我们的 GaN 器件具有更快的开关速度,可帮助您实现超过 500kHz 的开关频率,从而将磁性元件尺寸缩减高达 60%、提升性能并降低系统成本。

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专为可靠性而构建

我们的 GaN 器件采用专有的硅基 GaN 工艺且已经过 4,000 多万小时的可靠性测试,并具备各种保护功能,旨在确保高压系统的安全。

为何选择 GaN

了解 GaN 技术

与传统的仅基于硅的解决方案相比,GaN 提供了更高的功率密度、更可靠的运行和更高的效率。请访问我们的技术页面,了解有关 GaN 作为功率晶体管技术的更多信息,了解特色 GaN 应用,聆听客户的意见,亲自了解 TI GaN 如何帮助您更大限度地减小下一次电源设计的重量、尺寸并降低成本。

技术资源

应用手册
最大化具有理想二极管模式的GaN 的性能
了解如何使用理想的二极管模式(我们的某些 GaN 器件的独特功能)来更大程度地减少死区时间损耗。
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白皮书
GaN 器件的直接驱动配置 (Rev. A)
我们的 dMode GaN 器件系列无需共源共栅即可实现常关操作。详细了解直接驱动架构及其优势。
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应用手册
Third quadrant operation of GaN
详细了解 GaN 的第三象限操作以及如何更大限度地减少死区时间损耗。
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设计和开发资源

Reference design
基于 GaN 的 11kW 双向三相 ANPC 参考设计

此参考设计提供了用于实现基于氮化镓 (GaN) 的三级三相 ANPC 逆变器功率级设计模板。使用快速开关型功率器件可实现 100kHz 的更高开关频率,不仅减小了滤波器磁性元件的尺寸,还提高了功率级的功率密度。多级拓扑允许在高达 1000V 的较高直流总线电压下使用额定电压为 600V 的功率器件。较低的开关电压应力可降低开关损耗,从而使峰值效率达到 98.5%。

Reference design
采用 C2000 和 GaN 的 4kW 单相图腾柱 PFC 参考设计
此参考设计是一款 4kW CCM 图腾柱 PFC,采用 F280049/F280025 控制卡和 LMG342x EVM 电路板。此设计展示了一个强大的 PFC 解决方案,它通过将控制器接地置于 MOSFET 桥臂的中间来避免隔离式电流感应。得益于非隔离特性,可以通过高速放大器 OPA607 来实现交流电流感应,从而帮助实现可靠的过电流保护。在此设计中,效率、热感图像、交流压降、雷电浪涌和 EMI CE 均进行了充分的验证。该参考设计具有完整的测试数据,显示了图腾柱 PFC 通过 C2000 和 GaN 具有更高的成熟度,并且是高效产品 PFC 级设计的良好研究平台。
Reference design
基于 GaN 的 6.6kW 双向车载充电器参考设计
PMP22650 参考设计是一款 6.6kW 的双向车载充电器。该设计采用两相图腾柱 PFC 和带有同步整流功能的全桥 CLLLC 转换器。CLLLC 采用频率和相位调制在所需的调节范围内调节输出。该设计采用 TMS320F28388D 微控制器内的单个处理内核来控制 PFC 和 CLLLC。使用配有 Rogowski 线圈电流传感器的相同微控制器来实现同步整流。通过高速 GaN 开关 (LMG3522) 实现高密度。PFC 的工作频率为 120kHz,而 CLLLC 在 200kHz 至 800kHz 的可变频率范围内运行。峰值系统效率为 96.5%,该数值在 3.8kW/L (...)

与氮化镓 (GaN) IC相关的参考设计

使用我们的参考设计选择工具,找到最适合您应用和参数的设计。

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